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Ag棒上ZnO纳米棒阵列的光电催化活性
摘 要:
采用简单的化学溶液生长法,在Ag棒表面包覆生长一层ZnO纳米棒阵列.利用该结构光电催化降解罗丹明B,其效率远高于电降解和自降解,约为光催化降解的2倍,表明外加电压能有效提高催化剂的光催化效率.研究了不同工作电极间距对催化效率的影响,结果表明,最佳电极间距约为1.0 cm.
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