| 单晶硅基底上制备定向生长碳纳米管阵列的研究 |
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| 作者姓名： | 郑瑞廷 程国安 彭宜斌 赵勇 刘华平 梁昌林 |
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| 作者单位： | 1. 北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室材料科学与工程系,北京,100875
2. 北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室材料科学与工程系,北京,100875;天津民航学院理学院,天津,300300
3. 北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室材料科学与工程系,北京,100875;南昌大学物理系,南昌,330047 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:10275005)，北京市科学技术研究院萌芽计划资助项目 |
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| 摘 要： | 采用热化学气相沉积技术在单晶硅基底上制备出了定向性好、与基底结合牢固的碳纳米管阵列, 研究了制备工艺对定向生长碳纳米管阵列薄膜的影响. 研究发现: 生长温度在750℃, 催化剂厚度在10 nm左右易于形成定向生长的碳纳米管薄膜. 在混合气中乙炔的浓度为27%(体积百分比)时, 可以获得管型准直、管壁较厚、与基体结合牢固的碳纳米管阵列. 另外, 对于碳纳米管的定向生长机制及提高其与基体之间的结合力的方法进行了初步探讨.
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| 关 键 词： | 定向生长 单晶硅 化学气相沉积 碳纳米管 |
| 收稿时间： | 2003-08-11 |
| 修稿时间： | 2004-07-22 |
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