| 金属等离子体浸没Ta+和Ti+离子注入 |
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| 引用本文： | 张涛,侯君达,张孝吉,张荟星,朱剑豪,曾照明,田修波.金属等离子体浸没Ta+和Ti+离子注入[J].北京师范大学学报(自然科学版),2000,36(2):181-183. |
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| 作者姓名： | 张涛 侯君达 张孝吉 张荟星 朱剑豪 曾照明 田修波 |
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| 作者单位： | 1. 北京师范大学低能核物理研究所,北京辐射中心,射线束技术与材料改性教育部重点实验室,100875,北京
2. 香港城市大学物理材料系,香港九龙达之路 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划);; |
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| 摘 要： | 采用由阴极真空孤等离子体源、负脉冲高压靶台和磁过滤系统组成的金属等离子体浸没注入系统，实现Ｔａ＾＋和Ｔｉ＾＋浸没注入，并对离子注入层予以表征。结果表明，等离子体浸没离子注入钽和钛的ＲＢＳ分析射程，低于按设定加速电压的注入能量计算的ＴＲＩＭ射程。
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| 关 键 词： | 金属离子注入 等离子体浸没 表面改性 |
METAL PLASMA IMMERSION ION IMPLANTATION |
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| Zhang Tao,Hou Junda,Zhang Xiaoji,Zhang Huixing,Zhu Jianhao,Zeng Zhaoming,Tian Xiubo.METAL PLASMA IMMERSION ION IMPLANTATION[J].Journal of Beijing Normal University(Natural Science),2000,36(2):181-183. |
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| Authors: | Zhang Tao Hou Junda Zhang Xiaoji Zhang Huixing Zhu Jianhao Zeng Zhaoming Tian Xiubo |
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| Abstract: | A metal plasma immersion ion implantation system has been established. This system contains a vacuum cathode arc metal plasma source, a magnetic filter duct and a negative high voltage bias target. Ta and Ti ion implantation has been performed by this system. RBS is used to characterize the implanted surface layer. The range of implanted ions by RBS is much lower than that by TRIM. |
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| Keywords: | metal ion implantation plasma immersion surface modification |
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