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| 二氧化硅中可动正离子在Si-SiO_2界面的定域群聚现象及其物理原因的探讨 | |
| 引用本文： | 张翔九 ,胡际璜 ,郑思定 ,王国益.二氧化硅中可动正离子在Si-SiO_2界面的定域群聚现象及其物理原因的探讨[J].复旦学报(自然科学版),1984(1). |
| 作者姓名： | 张翔九 胡际璜 郑思定 王国益 |
| 摘 要： | SiO_2中不可避免地存在着为数众多的可动正离子(最多的是Na~ ).它的存在严重地影响着硅器件的性能,因而研究SiO_2中可动正离子的行为,特别是在Si-SiO_2界面的行为,是非常必要的.本文研究可动正离子在Si-SiO_2界面的横向分布情况以及这种分布的物理原因.Distefano与Williams用扫描内光电法测得了Si-SiO_2界面可动正离子非均匀分布的结果,Williams还用镜象势理论对理想界面进行了计算.由于实际界面与理想界面多有不同,我们也用扫描内光电法对自己的样品作了测量,得到可动正离子在界面非均匀分布的结论.通过进一步的实验,我们还看到这种非均匀分布不是随机的,而是定域的.再结合液晶显示法,进而研究了这种非均匀分布的物理原因. |
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