| SiCw/Al复合材料界面晶体位向关系新发现 |
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| 引用本文： | 耿林.SiCw/Al复合材料界面晶体位向关系新发现[J].科学通报,1994,39(21):1962-1962. |
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| 作者姓名： | 耿林 |
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| 作者单位： | 哈尔滨工业大学金属材料及工艺系 哈尔滨150001
(耿林，姚忠凯)，南京大学物理系 南京210008
(李齐)，南京大学物理系 南京210008(王路春) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 碳化硅晶须增强铝合金(SiCw/A1)复合材料是60年代出现的一种高性能新材料,80年代以来得到广泛研究.很多研究结果表明:SiCw/A1复合材料与铝合金相比之所以有很高的强度和模量,SiC-A1界面结合强度高是主要原因之一.对用粉末冶金法制造的SiCw/A1复合材料界面研究发现,SiC-A1界面处没有发生化学反应,但有明显的元素扩散现象发生,这种扩散结合机制导致了SiCw/A1复合材料具有很高的界面结合强度.而对用挤压铸造法制造的SiCw/A1复合材料界面研究却发现,界面处既没有化学反应也没有元素扩散,但晶须与铝之
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| 关 键 词： | 碳化硅 铝 复合材料 界面 |
| 收稿时间： | 1993-11-30 |
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