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| 吸附促进位错发射、增殖和运动的TEM观察 | |
| 引用本文： | 宿彦京,王燕斌,褚武扬.吸附促进位错发射、增殖和运动的TEM观察[J].科学通报,1997,42(7):766-768. |
| 作者姓名： | 宿彦京 王燕斌 褚武扬 |
| 作者单位： | 北京科技大学材料物理系!北京100083 |
| 摘 要： | 由液体金属脆断的断裂韧性K_(IC)(L)可算出裂纹扩展的阻力R=(1-v~2)K_(IC)~2(L)/E,它比材料的表面能γ大1～3个数量级.因而不能用Griffith脆性断裂理论R=2γ来描述,只能用Orowan理论,即R=2γ_(eff)=2γ γ_p,其中γ_p 为局部塑性变形功. 对于液体金属脆,实验测出塑性变形功γ_p=(10～1000)γ.这表明,液体金属吸附而导致脆断的过程伴随大量的局部塑性变形,而且断裂能主要消耗在局部塑性变形上. |
| 关 键 词： | 液体金属 吸附 TEM 脆断 位错发射 位错增殖 |
| 收稿时间： | 1996-05-23 |
| 修稿时间： | 1996-09-11 |
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