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| MgB2 中的超导电性 | |
| 引用本文： | 戴闻,冯庆荣,高政祥.MgB2 中的超导电性[J].自然科学进展,2002,12(9):897-902. |
| 作者姓名： | 戴闻 冯庆荣 高政祥 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院理化技术研究所低温中心,北京,100080 2. 北京大学物理系,北京,100871 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(批准号:19974051) |
| 摘 要： | 2001年1月发现的MgB 2 超导体,其超导转变温度高达39K,是所有金属间化合物及合金超导体中最高的.它的结构简单,制造成本低,很有可能被发展成实用超导体.综述了有关研究进展,其中包括:电子结构,高T c 机理和超导参数(Debye温度、电子比热系数、临界磁场、相干长度、穿透深度、能隙、临界电流和磁通蠕动速率).进而讨论与输电应用相关的问题. |
| 关 键 词： | MgB 2 超导电性 电子结构 临界参数 输电 |
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