| 钒掺杂SnO2材料的电子结构和光学性质 |
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| 引用本文： | 李洪霞,王喆,王培吉.钒掺杂SnO2材料的电子结构和光学性质[J].济南大学学报(自然科学版),2013(2):193-196. |
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| 作者姓名： | 李洪霞 王喆 王培吉 |
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| 作者单位： | 济南大学物理科学与技术学院;山东医学高等专科学校医学影像系 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61172028);山东省自然科学基金(ZR2010EL017) |
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| 摘 要： | 基于密度泛函理论采用全势线性缀加平面波方法计算V掺杂SnO2后的电子态密度、能带结构、介电函数和吸收系数。结果表明:由于V的掺入,晶胞SnO2费米能级向导带方向移动,在费米能级附近形成新的电子占据态,出现杂质能带,这是由V-3d态和O-2p态电子杂化所形成;介电谱在0～3.0 eV之间时出现3个新的介电峰,在高能区介电谱主峰位置发生蓝移,峰值强度减少;吸收谱发生展宽,吸收谱与介电谱的峰相对应。
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| 关 键 词： | 钒掺杂 SnO2材料 能带结构 光学性质 |
Electronic Structure and Optical Properties of V Doped SnO2 |
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| LI Hongxia,WANG Zhe,WANG Peiji.Electronic Structure and Optical Properties of V Doped SnO2[J].Journal of Jinan University(Science & Technology),2013(2):193-196. |
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| Authors: | LI Hongxia WANG Zhe WANG Peiji |
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| Institution: | 1(1.School of Physics and Technology,University of Jinan,Jinan 250022,China; 2.Medical Imaging Department,Shandong Medical College,Jinan 250002,China) |
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