掺杂CaF2与SrF2中Ce3+离子晶场能级的计算 |
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引用本文: | 杨国,张国营,夏往所,魏明,高娇. 掺杂CaF2与SrF2中Ce3+离子晶场能级的计算[J]. 徐州师范大学学报(自然科学版), 2009, 27(3): 49-51 |
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作者姓名: | 杨国 张国营 夏往所 魏明 高娇 |
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作者单位: | 中国矿业大学,理学院,江苏,徐州,221008 |
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基金项目: | 中国矿业大学科技基金资助项目 |
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摘 要: | 在点电荷模型基础上,考虑屏蔽效应以及电子云膨胀效应,计算了掺杂的CaF2与SrF2晶体中Ce^3+离子的晶场能级,计算结果较前人结果有较大改进,绝大部分能级与实验值吻合较好.研究表明,Ce^3+离子4f电子云膨胀效应和5s,5p电子壳层屏蔽效应在CaF2和SrF2中都不能忽略.
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关 键 词: | 电子云膨胀 屏蔽效应 氟化钙 氟化锶 晶场能级 |
Calculation of the energy levels of Ce3+ ions in CaF2 and SrF2 |
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