| 自结合碳化硅材料高温氧化行为研究 |
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| 引用本文： | 黄清伟,高积强,金志浩.自结合碳化硅材料高温氧化行为研究[J].西安交通大学学报,1999,33(12):49-52. |
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| 作者姓名： | 黄清伟 高积强 金志浩 |
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| 作者单位： | 西安交通大学,710049,西安 |
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| 摘 要： | 研究了气孔率为１１ ．５ ％ 的自结合碳化硅材料在１ ３００ ℃空气中的高温氧化行为．研究结果表明：氧化初期形成的非晶态ＳｉＯ２ 对材料中孔隙与裂纹尖端起钝化作用，造成材料室温强度随氧化时间的增加而增加．当氧化２２ ．５ ｈ 时，材料强度最高，达２９３ ＭＰａ；随着氧化时间的增加，非晶态ＳｉＯ２ 晶化形成方石英，以及冷却过程中引发的表面裂纹，造成材料室温强度的降低．表面裂纹的出现，使得自结合碳化硅的氧化增重动力学曲线符合对数规律
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| 关 键 词： | 碳化硅 高温氧化 断裂强度 |
| 修稿时间： | 1999-03-03 |
High Temperature Oxidation Behavior of Self-Bonded Silicon Carbide |
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| Huang Qingwei,Gao Jiqiang,Jin Zhihao.High Temperature Oxidation Behavior of Self-Bonded Silicon Carbide[J].Journal of Xi'an Jiaotong University,1999,33(12):49-52. |
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| Authors: | Huang Qingwei Gao Jiqiang Jin Zhihao |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon carbide high temperature oxidation fracture strength |
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