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| 基于调制光谱研究GaN的光学特性 | |
| 作者单位： | ;1.陕西理工学院物理与电信工程学院 |
| 摘 要： | 利用调制光谱技术研究了以分子束磊晶法成长于GaAs基板上的GaN薄膜的光学特性。结果表明,在PR、CER及PzR谱线中均可观察到激子跃迁信号E0与旋轨道分裂信号(E0+Δ0),且分裂量Δ0约为22 meV。在15300 K的温度范围内均可观测到激子跃迁信号E0、自旋轨道分裂信号(E0+Δ0)及DA-Pair信号;但温度在400 K和500 K时谱线中只存在激子跃迁信号E0与DA-Pair信号,而观察不到信号(E0+Δ0)。随着温度的升高,样品的跃迁信号E0与自旋轨道分裂信号(E0+Δ0)逐渐向低能量反方向移动。 |
| 关 键 词： | 调制光谱 半导体 氮化镓 光学特性 跃迁信号 |
A study on the optical property of GaN based on modulation spectroscopy |
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| Keywords: | |