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| 不同取代基对四硫富瓦烯衍生物电荷传输影响的理论研究 | |
| 作者姓名： | 李会学 王晓峰 李志锋 |
| 作者单位： | 天水师范学院生命科学与化学学院;甘肃高校新型分子材料设计与功能省级重点实验室 |
| 基金项目： | 天水师范学院中青年科研基金(TSA1116)资助 |
| 摘 要： | 通过密度泛函理论考察了四种四硫富瓦烯衍生物的电荷转移情况.二苯并-四硫富瓦烯(DB-TTF)的全氟化增加了分子的重整能而不利于电荷传输,但全氟化可降低化合物分子的前线轨道能级,从而减小电子注入势垒,这将有利于电子而不是空穴输运.当N原子取代DB-TTF分子内苯环上的C原子时,分子的重整能没有增加,但由于降低了前线分子轨道能级,从而减小了电荷的注入势垒而且还加强了分子的热稳定性.在DB-TTF分子上引入NH2可以改变分子晶体的结构以及电荷迁移率,从而通过引入不同取代基来改变-堆叠结构.另外,由于全氟化的DB-TTF分子间具有较强的极化效应,采用格点能校正方法来计算电荷转移积分更为恰当. |
| 关 键 词： | 理论研究 取代基效应 电荷传输 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |