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| 终端场板结构对GaN基肖特基势垒二极管击穿电压的影响 | |
| 作者姓名： | 朱友华 薛海峰 王美玉 李毅 |
| 作者单位： | 南通大学 信息科学技术学院,江苏 南通 226019 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;江苏高校品牌专业建设工程资助项目;江苏省产学研项目 |
| 摘 要： | 为了提高肖特基势垒二极管(Schottky barrier diode,SBD)的击穿电压(breakdown voltage,BV),系统研究了终端场板结构的GaN-SBD.基于Silvaco TCAD软件,采用控制变量法即分别在不同场板长度(LFP)和绝缘层厚度(TFP)及GaN漂移区掺杂浓度(ND)条件下仿真了器... |
| 关 键 词： | 场板结构 氮化镓 肖特基势垒二极管 击穿电压 |
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