| 国产WCu热沉与氧化铝陶瓷匹配封接研究 |
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| 引用本文： | 牛丽娜,杜少勋,张磊,邹勇明.国产WCu热沉与氧化铝陶瓷匹配封接研究[J].河北省科学院学报,2018(1):46-51. |
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| 作者姓名： | 牛丽娜 杜少勋 张磊 邹勇明 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十三研究所;河北中瓷电子科技有限公司 |
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| 摘 要： | 采用有限元仿真软件建立了WCu热沉-陶瓷功率集成电路外壳的三维计算模型,并对不同Cu含量WCu热沉的封装残余应力进行了计算,从理论上分析了WCu热沉Cu含量对封装结构变形和残余应力分布的影响。结果表明,在Cu含量10~20%范围内,随着Cu含量的增加,陶瓷件的峰值应力由大变小,后又升高,应力集中位置也发生转移;热沉变形方向由正向弯曲逐渐变为负向弯曲,该规律得以试验验证。研究结果对该结构封装外壳可靠性评估和优化设计具有指导意义。
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| 关 键 词： | WCu热沉 封装外壳 残余应力 热沉变形 有限元仿真 |
Study on the matching of homemade WCu heat sink and alumina ceramics |
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