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| 金刚石膜压阻效应的研究 | |
| 作者姓名： | 王万录 |
| 作者单位： | 兰州大学物理系，德国汉堡费瑯和夫表面和薄膜工程研究所，德国汉堡费瑯和夫表面和薄膜工程研究所 兰州730001 |
| 摘 要： | 用化学气相方法合成的金刚石薄膜也具有天然金刚石的各种优异特性.它作为一种宽带隙半导体材料可制备出高温、高速、大功率和抗辐射的电子器件.最近研究还发现,P型金刚石膜有十分显著的压阻效应.特别是随着温度的升高这种效应会增强.Aslam等人首次研究了P型多晶和同质外延金刚石膜的压阻效应.他们的研究结果表明,P型同质外延金刚石膜室温下500×10~(-6)应变时压阻因子(应变计灵敏度)至少是500,超过了单晶硅(120)和多晶硅 |
| 关 键 词： | 金刚石 膜 压阻效应 应变 |
| 收稿时间： | 1994-02-25 |
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