| 铝分层诱导晶化非晶硅的研究 |
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| 引用本文： | 孙钦钦,王鹏,陈松岩,李成,黄巍.铝分层诱导晶化非晶硅的研究[J].厦门大学学报(自然科学版),2014,53(5):704-710. |
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| 作者姓名： | 孙钦钦 王鹏 陈松岩 李成 黄巍 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理与机电工程学院,福建厦门,361005 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，福建省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 铝诱导晶化(AIC)法是一种低成本、低温制备高质量多晶硅薄膜的方法.采用磁控溅射和自然氧化法在石英衬底上生长铝/三氧化二铝/非晶硅结构的材料,然后进行低温(低于硅铝共熔温度577℃)退火处理.通过共焦显微镜、扫描电子显微镜(SEM)、拉曼光谱(Raman)和X射线衍射(XRD)手段进行表征.结果表明,退火后薄膜分为两层,上层是铝、非晶硅和多晶硅的连续混合膜,随退火时间增加,上层晶化率快速增加;下层形成了完全晶化的大尺寸多晶硅晶粒,晶粒结晶质量接近单晶硅;增加退火时间,下层晶粒增长很缓慢;降低退火温度,下层晶粒尺寸明显增大;形成的多晶硅薄膜均具有高度(111)择优取向.并且,进一步地对上述退火过程中样品的变化行为作出分析.
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| 关 键 词： | 铝诱导晶化 双层结构 择优取向 |
Study of Stratified Crystallization of Amorphous Silicon Induced by Aluminum |
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| SUN Qin-qin,WANG Peng,CHEN Song-yan,LI Cheng,HUANG Wei.Study of Stratified Crystallization of Amorphous Silicon Induced by Aluminum[J].Journal of Xiamen University(Natural Science),2014,53(5):704-710. |
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| Authors: | SUN Qin-qin WANG Peng CHEN Song-yan LI Cheng HUANG Wei |
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| Institution: | SUN Qin-qin;WANG Peng;CHEN Song-yan;LI Cheng;HUANG Wei;School of Physics and Mechanical & Electrical Engineering,Xiamen University; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | aluminum induced crystallization bilayer structure preferential orientation |
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