| 注入温度对氧注入制成的SOI膜质量的影响 |
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| 引用本文： | 董顺乐,丛培杰. 注入温度对氧注入制成的SOI膜质量的影响[J]. 山东大学学报(理学版), 1990, 0(2) |
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| 作者姓名： | 董顺乐 丛培杰 |
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| 作者单位： | 山东大学物理系，山东大学物理系 |
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| 摘 要： | 选择不同的靶温进行高能大剂量氧离子注入,并进行了高温退火。利用离子背散射技术、透射电子显微镜和掠角 x 射线衍射分析样片,发现:低温下注入能产生非晶层,退火后有多晶硅生成。提高靶温能有效地减小损伤,特别是440℃注入的样片经过退火表面硅层很接近未注入硅片。
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| 关 键 词： | SOI 离子注入 背散射 |
EFFECT OF IMPLANTATION TEMPERATURE ON THE QUALITY OF SOI FILMS SYNTHESIZED BY OXYGEN ION IMPLANTATION |
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| Dong Shunle Cong Peijie. EFFECT OF IMPLANTATION TEMPERATURE ON THE QUALITY OF SOI FILMS SYNTHESIZED BY OXYGEN ION IMPLANTATION[J]. Journal of Shandong University, 1990, 0(2) |
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| Authors: | Dong Shunle Cong Peijie |
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| Keywords: | SOI ion implantation rutherford backscattering |
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