| 碱金属夹层对半导体异质结能带偏移的影响 |
| |
| 引用本文： | 徐彭寿,许振嘉.碱金属夹层对半导体异质结能带偏移的影响[J].中国科学技术大学学报,1995,25(4):436-441. |
| |
| 作者姓名： | 徐彭寿 许振嘉 |
| |
| 作者单位： | 国家同步辐射实验室和结构分析开放实验室，中国科学院半导体所 |
| |
| 基金项目： | 国家教委博士点专项基金 |
| |
| 摘 要： | 用光电发射的方法研究了碱金属夹层对Ｇｅ和Ⅲ－Ⅴ族半导体异质结形成和能带偏移的影响．实验表明，价带偏移（ΔＥｖ）与夹层厚度有关．０．５ＭＬＣｓ和１ＭＬＮａ可使Ｇｅ／ＩｎＰ（１００）及Ｇｅ／ＧａＡｓ（１００）的ΔＥｖ的值分别增加０．２０ｅＶ和０．１８ｅＶ．碱金属与衬底相互作用而引起的界面偶极矩的改变是导致ΔＥｖ改变的主要原因．
|
| 关 键 词： | 碱金属，半导体异质结，能带偏移 |
Effect of Alkali Metal Interlayer on the Band Lineup of Semiconductor Heterojunction |
| |
| Xu Pengshou,Xu Shihong,Zhu Jingsheng,Liu Xianming,Ma Maosheng,Zhang Yuheng.Effect of Alkali Metal Interlayer on the Band Lineup of Semiconductor Heterojunction[J].Journal of University of Science and Technology of China,1995,25(4):436-441. |
| |
| Authors: | Xu Pengshou Xu Shihong Zhu Jingsheng Liu Xianming Ma Maosheng Zhang Yuheng |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | alkali metal semiconductor heterojunction band offset |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
