ITO薄膜的光学和电学性质及其应用

介绍了氧化铟锡（ITO）薄膜的光学和电学性质及应用。优化的ITO薄膜有立方铁锰矿结构。掺杂的Sn替代In2O3晶格上的In原子,每个Sn原子可以看作给导带提供一个自由电子。ITO薄膜载流子浓度为－10^20cm^-3,电阻率为－10^-4Ωcm,是高度简并半导体,其能带为抛物线型结构。由于Burstein-Moss效应,光学能隙加宽。除了紫外带间吸收和远红外的声子吸收,Brude理论与ITO的介电常数实际值符合得很好,说明自由电子对ITO薄膜的光学性质有决定性作用。由于ITO薄膜优异的光学和电学特性使它日益获得广泛应用。