| ITO薄膜的光学和电学性质及其应用 |
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| 引用本文： | 马勇 孔春阳. ITO薄膜的光学和电学性质及其应用[J]. 重庆大学学报(自然科学版), 2002, 25(8): 114-117 |
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| 作者姓名： | 马勇 孔春阳 |
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| 作者单位： | 重庆师范学院物理系 重庆400047(马勇)，重庆师范学院物理系 重庆400047(孔春阳) |
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| 摘 要： | 介绍了氧化铟锡（ITO）薄膜的光学和电学性质及应用。优化的ITO薄膜有立方铁锰矿结构。掺杂的Sn替代In2O3晶格上的In原子，每个Sn原子可以看作给导带提供一个自由电子。ITO薄膜载流子浓度为－10^20cm^-3，电阻率为－10^-4Ωcm，是高度简并半导体，其能带为抛物线型结构。由于Burstein-Moss效应，光学能隙加宽。除了紫外带间吸收和远红外的声子吸收，Brude理论与ITO的介电常数实际值符合得很好，说明自由电子对ITO薄膜的光学性质有决定性作用。由于ITO薄膜优异的光学和电学特性使它日益获得广泛应用。
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| 关 键 词： | ITO薄膜 结构 能带 电学性质 氧化铟锡薄膜 光学性质 |
| 文章编号： | 1000-582X(2002)08-0114-04 |
| 修稿时间： | 2002-04-20 |
Electrical and Optical Properties and Applications of In_2O_3:Sn (ITO) Films |
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| MA Yong,KONG Chun yang. Electrical and Optical Properties and Applications of In_2O_3:Sn (ITO) Films[J]. Journal of Chongqing University(Natural Science Edition), 2002, 25(8): 114-117 |
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| Authors: | MA Yong KONG Chun yang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | indium tin oxide films crystalline structure energy band electrical and optical properties |
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