应用于微结构制造自治系统的第Ⅰ类工艺缺陷诊断

在集成电路制造中，通常采用各电学参数的测试值来衡量和评价工艺效果。一种可能的工艺后果是，出现了测量结果偏离预定目标的第1类工艺缺陷。传统上的基于SPC的工艺控制技术，不含工艺诊断的内容，在寻找造成工艺失效的原因时，存在着巨大的困难。本文对集成电路制造过程中所涉及到的几类重要参数间的关系，进行了详细的分析，由此确定造成诊断问题困难的根本原因，在于测试现象与工艺故障因素之间是多对多的关系。通过正交化的方法。可以将测试参数转化成为一组广义参数。广义参数与故障因素之间存在着一对一的联系。这样就找到了一种有效的，从异常的广义参数值确定失效原因的工艺诊断方法。本文对第Ⅰ类工艺诊断的技术进行了讨论。在集成电路制造自自治系统中，对于Ⅰ类工艺缺陷的纠正过程，也就是工艺结果不断向工艺目标趋近的过程。