| 0.2BiFeO3-0.8Bi4Ti3O12固熔薄膜的电性质 |
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| 引用本文： | 刘红日. 0.2BiFeO3-0.8Bi4Ti3O12固熔薄膜的电性质[J]. 三峡大学学报(自然科学版), 2005, 27(5): 478-480 |
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| 作者姓名： | 刘红日 |
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| 作者单位： | 湖北师范学院,物理系,湖北,黄石,435002 |
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| 摘 要： | 用溶胶-凝胶方法在LaNiO3包覆的Si（111）衬底上制备了BiFeO3掺杂的Bi4Ti3O12薄膜,XRD研究表明薄膜呈完全随机取向,通过BiFeO3的掺杂使Bi4Ti3O12层状钙钛矿的C轴缩短.铁电性测试的结果表明,薄膜的剩余极化强度为2.0μC/cm^2,略小于用溶胶-凝胶方法制备的纯Bi4Ti3O12薄膜的剩余极化强度.漏电流测试结果表明薄膜导电机构满足公式.
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| 关 键 词： | 0.2BiFeO3-0.8Bi4Ti3O12薄膜 掺杂 漏电流 |
| 文章编号： | 1672-948X(2005)05-0478-03 |
| 修稿时间： | 2005-05-11 |
Electric Property of BiFeO3 Doped Bi4Ti3O12 Film Prepared by Sol-Gel Process |
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| Liu Hongri. Electric Property of BiFeO3 Doped Bi4Ti3O12 Film Prepared by Sol-Gel Process[J]. Journal of China Three Gorges University(Natural Sciences), 2005, 27(5): 478-480 |
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| Authors: | Liu Hongri |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | 0.2 BiFeO_3-0.8 Bi_4Ti_3O_(12)film doping leakege current |
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