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基片温度对镓钛共掺杂氧化锌
引用本文:钟志有,张腾,汪浩.基片温度对镓钛共掺杂氧化锌[J].中南民族大学学报(自然科学版),2013,32(1):58-64.
作者姓名:钟志有  张腾  汪浩
作者单位:中南民族大学电子信息工程学院,武汉,430074
基金项目:湖北省自然科学基金资助项目( 2011CDB418) ; 中南民族大学研究生创新基金资助项目( chxxyz120023) ; 中南民族大学学术团队基金资助项目( XTZ09003)
摘    要:以镓钛共掺杂氧化锌(GTZO)陶瓷靶作为溅射源材料,采用射频磁控溅射技术在玻璃基片上制备了GTZO透明导电薄膜,通过X射线衍射仪(XRD)、可见-紫外光分光光度计和四探针仪等测试表征,研究了基片温度对GTZO薄膜晶体结构、电学性质和光学性能的影响.结果表明:所制备的GTZO薄膜均为六角纤锌矿结构,并具有(002)择优取向,其结晶质量、晶粒尺寸、方块电阻、透过率、光学能隙以及品质因数都与基片温度密切相关,当基片温度为350℃时,GTZO薄膜的品质因数最大,具有最佳的光电综合性能.

关 键 词:氧化锌薄膜  掺杂  光电性能

Influence of Substrate Temperature on Properties of Transparent Conducting Gallium and Titanium Doped Zinc Oxide Thin Films
Zhong Zhiyou , Zhang Teng , Wang Hao.Influence of Substrate Temperature on Properties of Transparent Conducting Gallium and Titanium Doped Zinc Oxide Thin Films[J].Journal of South-Central Univ for,2013,32(1):58-64.
Authors:Zhong Zhiyou  Zhang Teng  Wang Hao
Abstract:
Keywords:zinc oxide thin films  doping  optical and electrical properties
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