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| 单晶硅的表面光电性质研究 | |
| 引用本文： | 蒋晓红,张兴堂,彭淑鸽,程轲,刘涛,马宗峰,黄亚彬,杜祖亮. 单晶硅的表面光电性质研究[J]. 河南大学学报(自然科学版), 2001, 31(3): 17-20 |
| 作者姓名： | 蒋晓红 张兴堂 彭淑鸽 程轲 刘涛 马宗峰 黄亚彬 杜祖亮 |
| 作者单位： | 1. 河南大学 2. 郑州煤炭职工地质学院 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(29971008);河南省创新人才基金资助课题 |
| 摘 要： | 建立了有源、无源表面光电压谱测量系统，并对单晶硅的表面光电转移过程开展了研究，为进一步研究复合纳米结构半导体材料表面界面光电荷转移过程，研制高性能光电转移纳米结构材料提供了实验方法。 |
| 关 键 词： | 表面光电压谱 锁相放大器 光电荷转移 单晶硅 半导体材料 纳米结构 表面光电性质 |
| 文章编号： | 10034978(2001)03001704 |
Surface Photovoltaic Properties of Monocrystal Silicon |
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