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| 高临界电流密度外延T12Ba2CaCu2O8超导薄膜 | |
| 引用本文： | 阎少林,朱亚平.高临界电流密度外延T12Ba2CaCu2O8超导薄膜[J].南开大学学报,1994,60(1):1-6. |
| 作者姓名： | 阎少林 朱亚平 |
| 作者单位： | 南开大学电子科学系，南开大学物理系，南开大学能源材料化学所，南开大学测试中心 |
| 基金项目： | 国家高技术发展计划（863）资助 |
| 摘 要： | 本文用直流磁控离子溅射及后热处理工艺在（００１）ＬａＡ１０３单晶衬底上制备的Ｔ１２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏ８高温超导薄膜，经Ｘ－光衍射θ－２θ和Φ扫描测试证明，薄膜是外延生长的。薄膜的超导转变温度高达１０８．６Ｋ。在液氮温度下，零磁场时的临界电流密度达７．６×１０６Ａ／ｍ２。薄膜具有很强的磁通钉扎能力。当垂直于膜面外加一个４特斯拉的磁场时，临界电流密度仍可保持１．１×１０６Ａ／ｃｍ２。 |
| 关 键 词： | 直流磁控溅射，外延薄膜，临界电流密度 |
HIGH CRITICAL CURRENT OF EPITAXIAL T1_Ba_2CaCu_2O_8 SUPERCONDUCTING THIN FILMS |
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| Yan Shaolin, Zhu Yaping, Yan Jie, Yang Xiaoming, Fang Lan,Si Minshan, Cao Huili, Song Qingxi, Chen Jinheng, Zhou Xingdi, Zhang Qingmin.HIGH CRITICAL CURRENT OF EPITAXIAL T1_Ba_2CaCu_2O_8 SUPERCONDUCTING THIN FILMS[J].Acta Scientiarum Naturalium University Nankaiensis,1994,60(1):1-6. | |
| Authors: | Yan Shaolin Zhu Yaping Yan Jie Yang Xiaoming Fang Lan Si Minshan Cao Huili Song Qingxi Chen Jinheng Zhou Xingdi Zhang Qingmin |
| Abstract: | |
| Keywords: | dc magnetron sputtering epitaxial thin film critical current density |
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