| InGaAs MSM—PD肖特基势垒增强层的研究 |
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| 引用本文： | 朱红卫,史常忻.InGaAs MSM—PD肖特基势垒增强层的研究[J].应用科学学报,1997,15(4):424-428. |
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| 作者姓名： | 朱红卫 史常忻 |
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| 作者单位： | 上海交通大学 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，中国科学院上海冶金所信息功能材料国家重点实验室部分资助 |
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| 摘 要： | 通过在ｎ型ＩｎＧａＡｓ光吸收层与金属接触间加入ｐ型ＩｎＧａＡｓ势垒增强层的方法，来提高势垒高度，使其暗电流大为下降，并对其进行了实验研究。
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| 关 键 词： | 光电探测器 势垒增强层 MSM－PD 肖特基势垒 |
THE RESEARCH OF InGaAs MSM-PD SCHOTTKY BARRIER ENHANCEMENT LAYER |
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| ZHU HONGWEI, SHI CHANGXIN, CHEN YIXIN.THE RESEARCH OF InGaAs MSM-PD SCHOTTKY BARRIER ENHANCEMENT LAYER[J].Journal of Applied Sciences,1997,15(4):424-428. |
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| Authors: | ZHU HONGWEI SHI CHANGXIN CHEN YIXIN |
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| Abstract: | It is shown in this paper that the dark current of InGaAs MSM photodetectors can be greatly reduced with the structure of p-InGaAs Schottky barrier enhanccmcnt layer. Theoretical explanation is given and the lowest dark currents with the order of 10-11A are obtained in our experiments. |
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| Keywords: | photodetector barrier enhancement layer |
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