| 离子注入形成FeSi2埋层的电镜研究 |
| |
| 引用本文： | 李晓娜,金星,董闯,马腾才,张泽. 离子注入形成FeSi2埋层的电镜研究[J]. 大连理工大学学报, 1997, 37(2): 234-237 |
| |
| 作者姓名： | 李晓娜 金星 董闯 马腾才 张泽 |
| |
| 作者单位： | 大连理工大学材料工程系，大连理工大学三束材料改性国家重点实验室，中国科学院北京电子显微镜实验室 |
| |
| 摘 要： | 利用ＭＥＶＶＡ离子源将Ｆｅ离子注入到Ｓｉ基体中会生成一层铁硅化物薄膜．利用电子显微镜，研究了这层铁硅化物的显微结构及其在随后的升温退火过程中发生的变化．研究结果表明，在离子注入剂量为１×１０１７／ｃｍ２的未退火样品中，亚稳的γ－ＦｅＳｉ２相占大多数，同时有少量的由ＣｓＣｌ结构派生的缺陷相Ｆｅ１－ＸＳｉ．在（１００）取向的Ｓｉ片上，这个硅化物层埋在硅基体中，形成了厚度为２５ｎｍ左右的埋层（ｂｕｒｉｅｄｌａｙｅｒ）结构
|
| 关 键 词： | 离子注入 电导显微镜 半导体 埋层结构 硅化亚铁 |
Research on formation of buried FeSi 2 layer by ion beam synthesis and TEM |
| |
| Li Xiaona,Jin Xing. Research on formation of buried FeSi 2 layer by ion beam synthesis and TEM[J]. Journal of Dalian University of Technology, 1997, 37(2): 234-237 |
| |
| Authors: | Li Xiaona Jin Xing |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | ion sources ion implantation silicides electron microscopic analysis |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
|
