| 二元过渡金属氧化物界面结构的研究(Ⅲ): 半导体气敏性能及邻二甲苯选择性氧化制苯酐的催化活性 |
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| 引用本文： | 王智民,张艳熹,韩维屏.二元过渡金属氧化物界面结构的研究(Ⅲ): 半导体气敏性能及邻二甲苯选择性氧化制苯酐的催化活性[J].黑龙江大学自然科学学报,2002,19(4):91-94. |
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| 作者姓名： | 王智民 张艳熹 韩维屏 |
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| 作者单位： | 1. 黑龙江大学化学化工学院,黑龙江,哈尔滨,150080
2. 哈尔滨师范大学表面化学研究所,黑龙江,哈尔滨,150080 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(2860018);黑龙江省自然科学基金资助项目(E9203) |
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| 摘 要： | 导电性能测试证明,这些二元氧化物属于N-型半导体,其电阻在邻二甲苯气氛中明显减小,即具有对邻二甲苯的气敏效应,其灵敏度在化学吸附的初期阶段与邻二甲苯蒸气浓度呈线性关系.催化选择性及转化率测定证明,MoO3-V2O3,MTiO3-TiO2及MoO3-WO3体系对于邻二甲苯选择性氧化为苯酐,具有催化活性,但MoO3-ZrO2体系没有催化活性.非晶相分散的MoO3及V2O5对该反应的促进作用较为显著,尤其当组成接近于分散阈值时,选择性最佳.MoO3-FeO3体系则对甲醇氧化为甲醛具有催化活性.
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| 关 键 词： | 二元过渡金属氧化物催化剂 半导体气敏性能 邻二甲苯及甲醇的催化氧化 选择性 |
| 文章编号： | 1001-7011(2002)04-0091-04 |
| 修稿时间： | 2002年4月4日 |
Study on interfacial structure of binary transition metal oxides( Ⅲ ): -semiconductor gas-sensitivity and catalytic activity in selective oxidation of o- dimethylbenzene to phthalic anhydride |
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