| 不同m(Zr)/m(Ti)及靶形式在不同衬底上溅射PZT薄膜的研究 |
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| 引用本文： | 叶勤,周慎平.不同m(Zr)/m(Ti)及靶形式在不同衬底上溅射PZT薄膜的研究[J].暨南大学学报,2001,22(5). |
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| 作者姓名： | 叶勤 周慎平 |
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| 作者单位： | 1. 暨南大学物理系,广东广州,510632
2. 清迈大学物理系,泰国清迈,50200 |
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| 基金项目： | 国务院侨务办公室科研项目 |
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| 摘 要： | 分别用m(Zr)/m(Ti)配比为30/70、53/47、70/30的源材料及陶瓷块状靶和预烧粉末靶的形式,在Ag、Au、Pt衬底上溅射制取PZT薄膜.比较分析了薄膜的钙钛矿结构形成情况,所需的热处理温度及铁电特性.研究表明:靶材的配比靠近30/70时较容易获得钙钛矿结构;用预烧粉末靶或用Ag衬底可降低热处理温度;用Au、Pt衬底能得到较好的电学特性.
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| 关 键 词： | PZT薄膜 Ag、Au、Pt衬底 智能材料 热处理 |
Study of sputtering PZT thin fidms on substrates of Ag,Au and Pt in different source material ratio of m (Zr)/m (Ti) and in ceramic target and calcined powder target |
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