| 基于第三代半导体的压电电子学和压电光电子学器件 |
| |
| 引用本文： | 朱来攀,翟俊宜,王中林.基于第三代半导体的压电电子学和压电光电子学器件[J].科学通报,2020,65(25):2662-2677. |
| |
| 作者姓名： | 朱来攀 翟俊宜 王中林 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院北京纳米能源与系统研究所,北京100083;中国科学院北京纳米能源与系统研究所,北京100083;School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, Georgia 30332, USA |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;国家重点研发计划;北京市科技计划 |
| |
| 摘 要： | 当一个均匀的应变施加到非中心对称的半导体单晶上时,半导体内部将产生压电势,其表面将产生静态的压电极化电荷,这种现象普遍存在于第三代半导体(如ZnO, GaN, CdS)中.应变引起的这种压电势或压电极化电荷可以静态和/或动态地调控界面电荷的输运和光电过程.通过将压电、光激发和半导体特性进行耦合,诞生了两个全新的研究领域,即压电电子学和压电光电子学.十几年来,这两个领域得到了广泛的关注,并在基础科学和器件应用方面取得了巨大的研究进展.本文对近年来这两个领域在器件应用方面的实验进展情况做了简要综述,并对这两个学科的未来发展进行了展望.
|
| 关 键 词： | 压电电子学 压电光电子学 第三代半导体 压电势 压电极化电荷 |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
