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| 用MOS结构高频C—V技术测量Si—SiO_2系统可动电荷 | |
| 引用本文： | 张久惠,沈桂芬.用MOS结构高频C—V技术测量Si—SiO_2系统可动电荷[J].辽宁大学学报(自然科学版),1983(2). |
| 作者姓名： | 张久惠 沈桂芬 |
| 作者单位： | 辽宁大学物理系，辽宁大学物理系 |
| 摘 要： | 本文介绍了MOS结构中Si—SiO_2系统可动电荷的一种测量方法—温度—偏压法(简称B—T法)。给出用MOSC—V技术测量Si—SiO_2系统可动电荷的原理和分析方法,对测量中出现的问题作了定性的分析。该测量方法具有简单易行、直观性强、计算方便等优点。适用于工厂中做一般的工艺监控。 |
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