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| 低温增强型非晶铟镓锌氧薄膜晶体管特性研究 | |
| 作者单位： | ;1.西安交通大学电子与信息工程学院;2.西安交通大学固态照明工程研究中心 |
| 摘 要： | 在室温下利用射频磁控溅射沉积非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)薄膜作为有源沟道层,分别制备了顶栅和底栅结构的薄膜晶体管(a-IGZO-TFTs)原型器件,同时研究了沟道层生长参数及后退火工艺对器件特性的影响。研究及实验结果表明:当增加底栅结构a-IGZO-TFTs器件IGZO沟道层氧气流量时,器件输出特性由耗尽型转变为增强型;当沟道宽长比为120∶20时,获得了4.8×10~5的开关电流比,亚阈值摆幅为1.2V/dec,饱和迁移率达到11cm~2/(V·s)。沟道层氧气流量为2cm~3/min的底栅结构a-IGZO-TFT器件在大气中经过300℃退火30min后,器件由耗尽型转变为增强型,获得4×10~3的开关电流比。 |
| 关 键 词： | 薄膜晶体管 非晶铟镓锌氧化物 输运特性 磁控溅射沉积 |
Characteristics Study of Low Temperature Enhanced Amorphous InGaZnO Thin Film Transistors |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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