| 用于薄膜外延生长的单晶基片RHEED研究 |
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| 引用本文： | 武德起,乔晓东,李锋,闫正,赵庆勋,王英龙,刘保亭.用于薄膜外延生长的单晶基片RHEED研究[J].河北大学学报(自然科学版),2006,26(4):373-376. |
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| 作者姓名： | 武德起 乔晓东 李锋 闫正 赵庆勋 王英龙 刘保亭 |
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| 作者单位： | 河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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河北省自然科学基金
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河北省科技攻关项目
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河北大学校科研和教改项目
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人事部留学回国人员科技活动择优基金 |
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| 摘 要： | 利用反射式高能电子衍射仪(RHEED)对微电子技术常用的Si,SrTiO3单晶基片进行了表面结构分析.研究了硅基片的不同清洗工艺对衍射图样的影响,发现衬底的处理工艺非常重要.借助于反射式高能电子的衍射图样和理论分析,计算出与理论值相近的SrTiO3基片晶格常数.结果表明,高能电子衍射仪可以被用于计算生长在基片上的外延薄膜面内晶格常数.
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| 关 键 词： | RHEED 衍射图样 表面结构 |
| 文章编号： | 1000-1565(2006)04-0373-04 |
| 修稿时间： | 2005年3月25日 |
RHEED Investigation of Single Crystal Substrate for Epitaxial Film Growth |
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| WU De-qi,QIAO Xiao-dong,LI Feng,YAN Zheng,ZHAO Qing-xun,WANG Ying-long,LIU Bao-ting.RHEED Investigation of Single Crystal Substrate for Epitaxial Film Growth[J].Journal of Hebei University (Natural Science Edition),2006,26(4):373-376. |
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| Authors: | WU De-qi QIAO Xiao-dong LI Feng YAN Zheng ZHAO Qing-xun WANG Ying-long LIU Bao-ting |
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| Abstract: | Reflective high energy electron diffraction(RHEED) has been used to characterize the Si and(SrTiO-3) single crystal substrates which are very popular substrates for thin film study and application in microelectronics and scientific research.The RHEED patterns of Si(100) substrates under various cleaning process are investigated,indicating that Hydrofluoric Acid cleaning for Si is very critical for epitaxial film preparation.The lattice parameter of SrTiO-3 obtained from its RHEED pattern and calculation is consistent with theoretical value,which paves a way to calculate the in-plane lattice parameters of epitaxial films. |
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| Keywords: | RHEED diffraction pattern surface structure |
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