| GaAs/Si/AlAs异质结不同生长温度Si夹层分布的CV实验研究 |
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| 引用本文： | 李永平,田强,牛智川,杨锡震,吴正龙,王亚非.GaAs/Si/AlAs异质结不同生长温度Si夹层分布的CV实验研究[J].北京师范大学学报(自然科学版),2002,38(4):474-477. |
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| 作者姓名： | 李永平 田强 牛智川 杨锡震 吴正龙 王亚非 |
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| 作者单位： | 1. 北京师范大学物理学系,100875,北京;2. 中国科学院半导体所超晶格国家重点实验室,100083,北京;3. 北京师范大学分析测试中心,100875,北京 |
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| 基金项目： | 教育部高校骨干教师资助计划;; |
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| 摘 要： | 用MBE生长设备制备了GaAs/Si/AlAs异质结,通过CV法研究了异质结的带阶和GaAs层在不同温度下生长对0.5分子层 Si夹层的影响,得到Si夹层的空间分布随GaAs层生长温度的升高而由局域变为弥散的温度效应.
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| 关 键 词： | GaAs/AlAs异质结 Si夹层 CV测量 导带带阶 |
| 修稿时间： | 2001年12月27日 |
Si INTERLAYER PROFILE IN GaAs/Si/AlAs AT DIFFERENT GROWTH TEMPERATURE BY CV MEASUREMENT |
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| Li Yongping,Tian Qiang,Niu Zhichuan,Yang Xizhen,Wu Zhenglong,Wang Yafei.Si INTERLAYER PROFILE IN GaAs/Si/AlAs AT DIFFERENT GROWTH TEMPERATURE BY CV MEASUREMENT[J].Journal of Beijing Normal University(Natural Science),2002,38(4):474-477. |
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| Authors: | Li Yongping Tian Qiang Niu Zhichuan Yang Xizhen Wu Zhenglong Wang Yafei |
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| Institution: | Li Yongping 1) Tian Qiang 1) Niu Zhichuan 2) Yang Xizhen 3) Wu Zhenglong 3) Wang Yafei 1) |
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| Abstract: | GaAs/Si/AlAs heterojunctions prepared by MBE are examined. The conduction band discontinuity and the profile of 0.5 monolayer Si interlayer at different growth temperature are investigated by CV technique. The results reveal that the spatial distributions of Si interlayer become dispersed with increasing temperature. |
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| Keywords: | GaAs/AlAs heterojunction Si interlayer CV measurement conduction band discontinuity |
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