半导体刻蚀工艺的晶圆背面颗粒研究

半导体制造过程中,干法刻蚀工艺需要晶圆背面与设备接触,把晶圆固定和支撑住,掌握晶圆背面颗粒状态对半导体工艺制程相当重要。本文主要研究前段刻蚀工艺后晶圆背面颗粒的状态、对工艺制程的影响以及降低这种影响的方法。前段刻蚀工艺由于稳定性、精确性和准确性的高要求,需要在每片晶圆作业完后对刻蚀腔体进行自身清洁和聚合物再淀积,以此来保证每片晶圆都有一致的刻蚀环境,刻蚀腔体中的静电吸盘(ESC)表面会覆盖聚合物,此聚合物的反应对温度非常敏感,由于ESC本身硬件的特性,表面聚合物淀积不均匀,造成与其接触的晶圆背面颗粒数很高。对其他晶圆正面造成严重的影响,分析晶圆背面颗粒在设备传输过程中的变化,通过优化晶圆冷却装置和冷却时间,有效地降低晶圆背面颗粒对其他晶圆正面的影响。