| PIN型a-Si太阳电池中的结电场分布、耗尽区宽度和最佳i层厚度的设计与计算 |
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| 引用本文： | 李旭华,常胜武,黄文德.PIN型a-Si太阳电池中的结电场分布、耗尽区宽度和最佳i层厚度的设计与计算[J].内蒙古大学学报(自然科学版),1989(4). |
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| 作者姓名： | 李旭华 常胜武 黄文德 |
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| 作者单位： | 内蒙古大学物理系，内蒙古大学物理系，内蒙古大学物理系 |
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| 摘 要： | 本文用自恰法严格计算了pin器件中的pi和in分离势垒区中电荷密度分布ρ(x)、电场分布ε(x)及耗尽区宽度W,然后缩小i层厚度使之部分重迭,再用电场迭加厚理算出耗尽区中的电场分布,在此基础上根据全收集条件δ_(gmin)=μ_fτ_pε_(min)算出最佳i层厚度X_e,发现当i层的费米能E_f向E_i靠近和gmin下降时,引起W和X_c显著增大
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| 关 键 词： | 非晶硅 结电场 耗尽区宽度 最佳本征层厚度 |
The Design and Calculation about the Depleted Region Width and Internal Electric Field Distribution and Optimum i-Iayer of a-Si PIN Solar Cells |
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| Li Xuhua Chang Shengwu Huang Wende.The Design and Calculation about the Depleted Region Width and Internal Electric Field Distribution and Optimum i-Iayer of a-Si PIN Solar Cells[J].Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Neimongol,1989(4). |
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| Authors: | Li Xuhua Chang Shengwu Huang Wende |
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| Institution: | Department of Physics |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Amorphous silicon Internal electric field Depleted region width Optimum i-layer width |
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