| 8—羟基喹啉修饰玻碳电极阳极溶出伏安法测定痕量镉 |
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| 作者姓名： | 王改萍 韩素琴 |
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| 作者单位： | 王改萍（新乡医学院基础部,河南,新乡,453003） 韩素琴（山西师范大学化学系,山西,临汾,041004） |
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| 基金项目： | 中国科学院传感技术国家重点实验室及湖北省自然科学基金(99J060). |
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| 摘 要： | 以8-羟基喹啉(Ox)作为修饰剂制备化学修饰电极,用于痕量镉的伏安法测定.研究了支持电解质种类及酸度、修饰膜厚度、富集电位、富集时间、扫描速度等因素对伏安曲线的影响,获得较为优化的测试条件.在0.1mol/LHAc-NaAc缓冲溶液(pH4.0)中,Cd(Ⅱ)的浓度在4.0×10-8mol/L～7.0×10-5mol/L范围内与其氧化峰电流呈良好线性关系(r=0.9933),检测限达2.0×10-8mol/L.该电极具有很好的重现性,在含2.0×10-6mol/LCd(Ⅱ)试液中连续测定10次,其RSD为7.8%.本法用于实际水样测定,获得满意的结果.
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| 关 键 词： | 8－羟基喹啉 化学修饰电极 阳极溶出伏安法 镉 |
| 文章编号： | 1009-4490(2001)02-0038-05 |
| 修稿时间： | 2001-02-22 |
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