| 用GAT器件实现高电压与高频率、高电流增益兼容的定量分析 |
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| 引用本文： | 庄宝煌,黄美纯,朱梓忠,张志鹏,李开航,吴丽清.用GAT器件实现高电压与高频率、高电流增益兼容的定量分析[J].厦门大学学报(自然科学版),1999,38(6):831-836. |
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| 作者姓名： | 庄宝煌 黄美纯 朱梓忠 张志鹏 李开航 吴丽清 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理学系,厦门,361005 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金!(69896260-06)，国家高技术研究发展计划资助!(863-715-010) |
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| 摘 要： | 通过作者最近建立的关于GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型,定量研究了GAT的基区穿通电压VPI以及GAT的雪崩击穿特性并且解释了该器件实现高击穿电压与高电流增益兼容的实验结果
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| 关 键 词： | 功率器件 GAT 基区穿通电压 频率 雪崩击穿电压 电流增益 兼容性 |
A Quantitative Analysis of the Compatibility Among High Voltage, High Frequency and High Current Gain with Device GAT |
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| Zhuang Baohuang,Huang Meichun,Zhu Zizhong,Zhang Zhipeng,Li Kaihang,Wu Liqing.A Quantitative Analysis of the Compatibility Among High Voltage, High Frequency and High Current Gain with Device GAT[J].Journal of Xiamen University(Natural Science),1999,38(6):831-836. |
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| Authors: | Zhuang Baohuang Huang Meichun Zhu Zizhong Zhang Zhipeng Li Kaihang Wu Liqing |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Pow er device GAT Base region punchthrough voltage Frequency Avalanche breakdow n voltage Currentgain Com patibility |
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