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| 高T_c Nb_3Ge超导薄膜 | |
| 引用本文： | 崔长庚.高T_c Nb_3Ge超导薄膜[J].科学通报,1985,30(2):98-98. |
| 作者姓名： | 崔长庚 |
| 作者单位： | 中国科学院物理研究所，英国剑桥大学材料科学系，英国剑桥大学材料科学系 北京 |
| 摘 要： | 1973年Gavaler利用溅射法首次获得超导转变温度T_c高达22.3K的Nb_3Ge薄膜,不久Testardi等利用同样方法达到了23.2K。从这以后,A-15 Nb_3Ge化合物一直是已发现的超导转变温度最高的超导体。人们对Nb_3Ge进行了许多研究,希望从中找出高T_c相Nb_3Ge |
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