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| 低阻硅TSV与铜TSV的热力学变参分析 | |
| 作者姓名： | 陈志铭 谢奕 王士伟 于思齐 |
| 作者单位： | 北京理工大学信息与电子学院,北京,100081;北京理工大学光电学院,北京,100081 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目（61574016,61774015） |
| 摘 要： | 硅通孔（through-silicon-via,TSV）是三维集成技术中的关键器件.本文对低阻硅TSV与铜TSV的热力学特性随各项参数的变化进行了比较.基于基准尺寸,比较了低阻硅TSV和铜TSV在350℃的工作温度下,最大von Mises应力和最大凸起高度之间的不同.基于这两种结构,分别对TSV的直径、高度、间距进行了变参分析,比较了不同参数下,两种TSV的热力学特性.结果表明,低阻硅TSV具有更好的热力学特性. |
| 关 键 词： | 三维集成 硅通孔 热力学特性 有限元分析 |
| 收稿时间： | 2017-06-09 |
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