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太空生长绝缘砷化镓单晶及其应用
作者姓名:
林兰英 张绵
摘 要:
在返回式降临上搭载生长了砷化镓单晶,Hall分析表明窨生长的砷化镓单晶呈半绝缘特性。空间生长的半绝缘砷化镓单晶的结构特性得到了明显改善,均匀性提高。与地面生长的半绝缘砷化镓单晶相比,空间生长的半绝缘砷化镓单晶的化学配比及其均匀性得到了显著改善。
关 键 词:
砷化镓 单晶 太空生长 微重力 集成电路
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