600碳化硅陶瓷的粉末注射成形及其导电特性 |
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引用本文: | 薛忠刚,赵亚林.600碳化硅陶瓷的粉末注射成形及其导电特性[J].中国新技术新产品精选,2012(9):17-17. |
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作者姓名: | 薛忠刚 赵亚林 |
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作者单位: | 哈尔滨工业大学,黑龙江哈尔滨150001 |
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摘 要: | 研究了碳化硅陶瓷的粉末注射成形工艺,分析了成形工艺及烧结助剂对其显微组织及力学性能的影响,探索了粉末注射成形碳化硅陶瓷的导电特性。以碳化硅为助剂的固相烧结温度为2100℃,脱脂坯烧结后具有最高的真实密度(3.12g/cm3),相对密度达97.5%,烧结后试样由固相碳化硅组成,XRD及TEM能谱分析表明试样内部无残余氧化硅,制品晶粒平均尺寸小于1μm,室温弯曲强度达345MPa。采用直流电流电压测试方法,测定了粉末注射成形方法制得的SiC陶瓷在室温至800℃范围内的直流电导率。
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关 键 词: | 粉末注射成形 碳化硅 电导率 |
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