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| C（^3Pg）＋SiO（X^1∑^＋）体系的反应碰撞轨迹 | |
| 引用本文： | 陈泽琴.C（^3Pg）＋SiO（X^1∑^＋）体系的反应碰撞轨迹[J].西华师范大学学报(哲学社会科学版),2009(3):279-282. |
| 作者姓名： | 陈泽琴 |
| 作者单位： | 西华师范大学化学化工学院; |
| 基金项目： | 重庆市科学技术基金资助课题(1998-26) |
| 摘 要： | 使用经典轨迹法研究了反应C（^3Pg）＋SiO（X^1∑^＋，V=0，J=0）碰撞轨迹．碳化硅合成反应C（^3Pg）＋SiO（X^1∑^1，V=0，1；J=0）→SiC（X^1∑^1）＋O（^3Pg）存在阈能，反应截面存在一个极大值和最佳反应能量．在SiC最佳产率区，通过反应物的振动激发并不能使SiC产率明显提高，基态下SiC合成反应的最佳能区为该反应的最佳产率区． |
| 关 键 词： | 分子反应动力学 平行络合反应. SiC SiO |
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