| SiO2厚度对半导体器件的电子辐射效应的影响 |
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| 引用本文： | 张建新,刘俊星. SiO2厚度对半导体器件的电子辐射效应的影响[J]. 科学技术与工程, 2008, 8(10): 2562-2565 |
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| 作者姓名： | 张建新 刘俊星 |
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| 作者单位： | 嘉兴学院,机电工程学院,嘉兴,314001;嘉兴学院,机电工程学院,嘉兴,314001 |
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| 摘 要： | 研究了SiO2厚度对光电二极管的电子辐射效应的影响.制备了3种光电二极管,分别采用不同厚度热氧化SiO2作为光敏面钝化膜.以能量为0.8 MeV的电子束为辐射源,对3种光电二极管进行4个剂量的辐射.实验发现,辐照后光电二极管的光电流衰减强烈依赖波长,在短波和长波阶段衰减明显,而在中波阶段基本不衰减;暗电流变化率随着辐照剂量迅速增加.另外,薄钝化的二极管光电流衰减最小,同时暗电流增加最显著.
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| 关 键 词： | SiO2 光电二极管 电子辐照效应 |
| 文章编号： | 1671-1819(2008)10-2562-04 |
| 修稿时间： | 2008-01-18 |
Influence of Electronic Radiation Effect of Photodiode by Thickness of SiO2 |
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| ZHANG Jian-xin,LIU Jun-xing. Influence of Electronic Radiation Effect of Photodiode by Thickness of SiO2[J]. Science Technology and Engineering, 2008, 8(10): 2562-2565 |
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| Authors: | ZHANG Jian-xin LIU Jun-xing |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiO2 |
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