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| 提高大功率开关晶体管二次击穿容量的一种方法 | |
| 引用本文： | 舒梅.提高大功率开关晶体管二次击穿容量的一种方法[J].科技资讯,2007(24):233-234. |
| 作者姓名： | 舒梅 |
| 作者单位： | 贵州电子信息职业技术学院,贵州凯里,556000 |
| 摘 要： | 本文简述了硅双极型大功率开关晶体管产生正偏二次击穿的机理,提出一种提高硅双极型大功率开关晶体管二次击穿容量的有效方法,并以一种功率为225W(TC=25℃),BVCEO=200V,ICM=30A的高速开关晶体管为例,介绍了一种通过特殊版图设计和工艺设计的方法,使晶体管的发射结面积得到充分应用,消除了大电流时发射极的电流集边效应,从而提高了功率开关晶体管的正偏二次击穿功率容量. |
| 关 键 词： | 大功率开关晶体管 正偏二次击穿 电流集边效应 |
| 文章编号： | 1672-3791(2007)08(c)-0233-02 |
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