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| 铯溅射型负离子源中Cs~＋离子产额的实验研究 | |
| 引用本文： | 缴桂跃,姬成周,王文勋.铯溅射型负离子源中Cs~＋离子产额的实验研究[J].北京师范大学学报(自然科学版),1994(2). |
| 作者姓名： | 缴桂跃 姬成周 王文勋 |
| 作者单位： | 北京师范大学分析测试中心，北京师范大学低能核物理研究所 |
| 摘 要： | 通过电离表面的痕量分析和Ｃｓ~＋离子产额的测量，研究了功函数、表面温度及铯通量等因素对铯溅射型负离子源表面电离效率的影响．结合Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｓａｈａ表面电离理论，揭示Ｃｓ~＋离子产额饱和的原因．提出一项改进措施──透射型表面电离源，就其性能进行了讨论． |
| 关 键 词： | 铯溅射型负离子源 表面电离源 铯通量 吸附 退吸 滞留时间 |
AN EXPERIMENTAL STUDY FOR CESIUM ION YIELDS IN SNICS |
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| Jiao Guiyue,Ji Chengzhou,Wang Wenxun.AN EXPERIMENTAL STUDY FOR CESIUM ION YIELDS IN SNICS[J].Journal of Beijing Normal University(Natural Science),1994(2). | |
| Authors: | Jiao Guiyue Ji Chengzhou Wang Wenxun |
| Abstract: | |
| Keywords: | SNICS-source of negative ions by cesium sputtering surface ionization source cesium flux adsorption desorption residence time |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |