非应变盖层的应变外延层结构中失配位错的分布 |
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作者姓名: | 金智 杨树人 |
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作者单位: | 集成光电子国家重点联合实验室吉林大学实验区,吉林大 |
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摘 要: | 利用连续介质模型,计算有非应变盖层的应变外延层结构中单位面积的能量。引入上下界面失配位错数目的比例因子η,利用能量最低原理,求得η的表达式,研究表明,失配位错在上下界面的分布与应变的弛豫程度和盖层的厚度有关。随应变弛豫程度和非应变盖层厚度的增加,失配位错在上界面的数目增多,应变弛豫机制以单结点为主过渡到以双结点为主。
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关 键 词: | 失配位错 非应变盖层 应变外延层结构 半导体 |
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