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非应变盖层的应变外延层结构中失配位错的分布
引用本文:金智,杨树人.非应变盖层的应变外延层结构中失配位错的分布[J].吉林大学自然科学学报,1999(1):67-70.
作者姓名:金智  杨树人
作者单位:集成光电子国家重点联合实验室吉林大学实验区,吉林大
摘    要:利用连续介质模型,计算有非应变盖层的应变外延层结构中单位面积的能量。引入上下界面失配位错数目的比例因子η,利用能量最低原理,求得η的表达式,研究表明,失配位错在上下界面的分布与应变的弛豫程度和盖层的厚度有关。随应变弛豫程度和非应变盖层厚度的增加,失配位错在上界面的数目增多,应变弛豫机制以单结点为主过渡到以双结点为主。

关 键 词:失配位错  非应变盖层  应变外延层结构  半导体
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