关于功率型半导体整流器件晶片破损问题的研究

功率型半导体整流器件属于大量生产型,低利润半导体分立器件,而其内部结构相对比较复杂。基于以上原因,此类产品研发/设计阶段经常会遇到由残留应力引起的晶片破损现象;但由于低利润的影响,又不可能接受高成本的原材料。况且此类可靠性问题对分立器件来讲是十分严重的品质缺失。本文以三组实验设计为背景,经过168/500个循环的两阶段冷热冲击可靠性实验设计,以达到检验三种解决问题思路有效性的目的。