| 高功率、长寿命GaAs光电导开关 |
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| 引用本文： | 杨宏春,崔海娟,孙云卿,曾刚,吴明和.高功率、长寿命GaAs光电导开关[J].科学通报,2010,55(16):1618-1625. |
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| 作者姓名： | 杨宏春 崔海娟 孙云卿 曾刚 吴明和 |
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| 作者单位： | 电子科技大学物理电子学院, 成都 610054 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(10804016)和瞬态光学与光子技术国家重点实验室基金(YAK200501)资助项目 |
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| 摘 要： | 通过改进GaAs光导开关衬底材料研制工艺、机械结构设计、欧姆电极研制工艺、绝缘封装工艺和脉冲电源馈电方式,研制了3mm异面电极的GaAs光导开关.在56.12μJ光能激励、1kHz重频、15kV偏压、50?负载实验条件下,测得光导开关使用寿命超过3.6×106次,输出电脉冲峰值功率2MW、脉冲宽度2ns、触发抖动方均根值为65ps;最高工作电场达到100kV/cm,对应峰值功率达到10MW;实验还给出了光导开关电压转换效率、触发抖动随偏压升高的测试结果;考虑GaAs对1064nm光吸收系数随电场的变化,定量分析了光导开关电压转换效率随偏压变化的实验现象.
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| 关 键 词： | 光导开关 高功率 长寿命 触发抖动 光吸收系数 |
| 收稿时间： | 2009-08-29 |
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