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| Y 和Gd 在Mg 中反常固溶强化行为的电子起源：第一性原理计算研究 | |
| 作者姓名： | 高磊 周健 孙志梅 陈荣石 韩恩厚 |
| 作者单位： | 中国科学院金属研究所, 金属腐蚀与防护国家重点实验室, 沈阳 110016; 中国科学院研究生院, 北京 100049; 厦门大学材料学院, 厦门 361005 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(2007CB613704)和国家自然科学基金(50874100)资助项目 |
| 摘 要： | Y 和Gd 在Mg 中表现出反常高的固溶强化效率, 这一现象与传统的弹性交互作用理论相矛盾. 采用第一性原理计算研究了不同合金元素Al, Zn, Y, Gd 对Mg固溶体中化学键的影响. 结果表明, Y 和Gd 在Mg 中反常固溶强化行为的主要原因是Mg-Y (Gd)和Mg-Mg 化学键的增强. |
| 关 键 词： | 镁合金 固溶强化 第一性原理 化学键 |
| 收稿时间： | 2010-01-12 |
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